特許
J-GLOBAL ID:200903030156559778

可視光用分散型ブラッグ反射器を有するVCSEL

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大貫 進介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-069147
公開番号(公開出願番号):特開平10-004243
出願日: 1997年03月05日
公開日(公表日): 1998年01月06日
要約:
【要約】【課題】 可視光用分散型ブラッグ反射器を有する垂直空洞面放出レーザ(101)およびその製造方法を提供する。【解決手段】 垂直空洞面放出レーザは半導体基板(102)を含み、その第1面上に、第1組の分散型ブラッグ反射器(103)が堆積されている。分散型ブラッグ反射器(103)は、リン化インディウム・アルミニウム・ガリウムおよび砒化アルミニウムの交互層で作られている。分散型ブラッグ反射器上に活性領域(106)を配し、活性領域(106)に続いてクラッディング領域(107)を配する。クラッディング領域(107)上には、別の分散型ブラッグ反射器(103)を配する。
請求項(抜粋):
可視光用分散型ブラッグ反射器を有するVCSELであって:第1表面(105)と第2表面(110)とを有する半導体基板(102);前記半導体基板(102)の前記第1表面(105)上に配置された第1分散型ブラッグ反射器(103)であって、前記第1分散型ブラッグ反射器(103)はリン化インディウム・アルミニウム・ガリウムおよび砒化アルミニウムの交互層(111,112)を含み、第1ドーパント型および第1濃度を有する前記第1分散型ブラッグ反射器(103);前記第1分散型ブラッグ反射器(103)上に配置された第1クラッディング領域(104);前記第1クラッディング領域(104)上に配置された活性領域(106);前記活性領域(106)上に配置された第2クラッディング領域(107);前記第2クラッディング領域(107)上に配置された第2分散型ブラッグ反射器(108)であって、前記第2分散型ブラッグ反射器(108)は、リン化インディウム・アルミニウム・ガリウムおよび砒化アルミニウムの交互層(117,118)を含み、第2ドーパント型および第2濃度を有する前記第2分散型ブラッグ領域(108);および前記第2分散型ブラッグ反射器(108)上に配置されたコンタクト領域(109);から成ることを特徴とするVCSEL。
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 面発光レーザ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-301932   出願人:日本電信電話株式会社
  • 半導体レーザ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-056379   出願人:富士通株式会社
  • 特表平7-503104
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