特許
J-GLOBAL ID:200903030187529370
欠陥検査装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人オカダ・フシミ・ヒラノ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-184059
公開番号(公開出願番号):特開2009-020038
出願日: 2007年07月13日
公開日(公表日): 2009年01月29日
要約:
【課題】ウェハエッジ部にある微小な欠陥を、高スループットで検出することが可能な欠陥検査装置を提供する。【解決手段】上ベベル用照明光源3aから放出されたは、上ベベル用干渉フィルタ4aで所定波長域の光とされ、上ベベル用集光レンズ5aにより、ウェハ1の上ベベルの被照明領域を、幅dのスリット光でテレセントリックに照明する。上ベベルの被照明領域からの乱反射光は、上ベベル用干渉フィルタ4aと同じ波長特性を有する上ベベル用干渉フィルタ6aを透過し、上ベベル用集光レンズ7aで集光されてSPD等の上ベベル用受光装置8aで受光される。上ベベルの被照明領域からの正反射光は、受光光学系に入射せず、バックグラウンドノイズとならない。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ステージ上に載せられたウェハの上ベベル、アペックス、下ベベルをそれぞれ照明する複数の照明光学系と、前記上ベベル、前記アペックス、前記下ベベルからの正反射光を受光せず、これらに存在する欠陥からの散乱光をそれぞれ受光する複数の受光光学系と、前記受光光学系が検出した光に基づいて前記欠陥を検出する欠陥検出部を有することを特徴とする欠陥検査装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (15件):
2G051AA51
, 2G051AB02
, 2G051AB08
, 2G051BA01
, 2G051BA04
, 2G051BA08
, 2G051BB07
, 2G051BB15
, 2G051CA01
, 2G051CA07
, 2G051CB05
, 2G051CC07
, 2G051CC15
, 2G051DA08
, 2G051EB01
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
半導体ウエハ検査装置
公報種別:再公表公報
出願番号:JP2002009637
出願人:オリンパス株式会社
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