特許

J-GLOBAL ID：200903030195725898

炭化ケイ素ナノロッドとその製造方法

発明者： 板東 義雄 ,  ガオ イオハ ,  倉嶋 敬次 ,  佐藤 忠夫
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-326273
公開番号（公開出願番号）：特開2004-161507
出願日： 2002年11月11日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】構造材料の補強材や半導体、あるいは光学素子としての有用性の高いSiCナノロッドを安価にかつ効率よく大量生産するための製造方法を提供する。【解決手段】亜酸化ケイ素と非晶質活性炭素を坩堝に入れ、不活性ガス雰囲気下で、亜酸化ケイ素が気化する温度まで加熱することにより、立方晶系炭化ケイ素からなる繊維状構造体であって、長さが10〜100μm、直径が20 nm〜100 nmであることを特徴とする炭化ケイ素ナノロッドを得る。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

立方晶系炭化ケイ素からなる繊維状構造体であって、長さが10〜100μm、直径が20 nm〜100 nmであることを特徴とする炭化ケイ素ナノロッド。

IPC (4件)：

C01B31/36 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  D01F9/10

FI (4件)：

C01B31/36 601H ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  D01F9/10 A

Fターム (16件)：

4G146AA17 ,  4G146AB06 ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AD40 ,  4G146BA01 ,  4G146BC02 ,  4G146BC23 ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4L037CS29 ,  4L037FA02 ,  4L037FA20 ,  4L037PA40 ,  4L037UA02 ,  4L037UA20