特許

J-GLOBAL ID：200903030201683655

強誘電体記憶素子及びその製造方法、並びに集積回路

発明者： 緒方 信人 ,  松永 宏典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-031945
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229169
出願日： 1997年02月17日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】 基板上に、下部電極、強誘電体層及び上部電極を備えた強誘電体記憶素子において、上部電極形成後に熱処理を行うことなく、リーク電流の発生を抑制することを課題とする。【解決手段】 基板1上に下部電極4、強誘電体層5、リーク電流保護層6及び上部電極7をこの順で備え、リーク電流保護層6が表面平坦な誘電体薄膜からなり、かつ強誘電体層5の表面の凹凸を被覆し平坦であることを特徴とする強誘電体記憶素子により上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極、強誘電体層、リーク電流保護層及び上部電極をこの順で備え、リーク電流保護層が表面平坦な誘電体薄膜からなり、かつ強誘電体層の表面の凹凸を被覆し平坦であることを特徴とする強誘電体記憶素子。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08 ,  C30B 29/30 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08 Z ,  C30B 29/30 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 容量素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-178524   出願人：松下電子工業株式会社