特許

J-GLOBAL ID：200903064789478248

容量素子の製造方法

発明者： 松田 明浩 ,  長野 能久 ,  那須 徹 ,  有田 浩二 ,  上本 康裕
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-178524
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036309
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 高誘電体または強誘電体を容量絶縁膜とする容量素子の製造方法において、絶縁膜の表面の凹凸に起因した電気特性のばらつきや金属配線の断線という課題を解決し、信頼性に優れた容量素子を歩留まりよく得る。【構成】 支持基板1上に、容量素子用のPt膜よりなる第1の電極2を形成し、第1の絶縁膜としてSrBi2Ta2O9の薄膜5を塗布後酸素雰囲気中において800°Cで焼結して結晶化し、そのSrBi2Ta2O9の薄膜5の上面に第2の絶縁膜としてTa2O5薄膜6を熱処理して形成し、そのTa2O5薄膜6の表面にPt膜よりなる第2の電極4を形成する。

請求項（抜粋）：

支持基板の一表面上に金属膜あるいは導電性酸化物膜よりなる第1の電極を形成する工程と、前記第1の電極上に主成分が強誘電体または高誘電率を有する誘電体からなる第1の絶縁膜を焼結して形成する工程と、その第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を熱処理して形成する工程と、その第2の絶縁膜上に金属膜あるいは導電性酸化物膜よりなる第2の電極を形成する工程とを備える容量素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 容量装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-153256   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平2-270366