特許
J-GLOBAL ID：200903030243717452

多相鉛ゲルマネート膜およびその堆積方法

発明者：
ティンカイ リー

ティンカイ リー について

, 
フェンヤン ツァンク

フェンヤン ツァンク について

, 
シェン テン スー

シェン テン スー について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-325590
公開番号（公開出願番号）：特開2002-211924
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：
【要約】【課題】 鉛ゲルマニウム酸化物薄膜材料の強誘電特性を改善し、これらの薄膜を強誘電体PGOキャパシタとして利用可能にするプロセスを提供すること。【解決手段】 IC膜上に鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を形成する方法であって、[Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]とを混合して、第1の所定のモル比を有するPGO混合物を形成する工程(102)と、PGO混合物をテトラヒドロフラン、イソプロパノールおよびテトラグリムの溶媒に溶解させて、前駆体溶液を形成する工程(104)と、前駆体ガスを形成する工程(106)と、前駆体ガスをIC膜に導入する工程(108)と、前駆体ガスをIC膜上で分解して、第1の相Pb5Ge3O11と第2の相Pb3GeO5とを含有する強誘電特性を有するPGO膜を形成する工程(112)とを包含する、方法。
請求項（抜粋）：
集積回路(IC)膜上に鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を形成する方法であって、a) [Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]とを混合して、第1の所定のモル比を有するPGO混合物を形成する工程と、b) 該工程a)の該混合物をテトラヒドロフラン、イソプロパノールおよびテトラグリムからなる溶媒に溶解させて、前駆体溶液を形成する工程と、c) 該工程b)で形成された該溶液を加熱して、前駆体ガスを形成する工程と、d) 該前駆体ガスを該IC膜に導入する工程と、e) 該工程c)で形成された該前駆体ガスを該IC膜上で分解して、第1の相Pb5Ge3O11と第2の相Pb3GeO5とを含有する強誘電特性を有するPGO膜を形成する工程であって、これにより該PGO膜の強誘電特性は、該第2の相Pb3GeO5を加えることに伴い改善される、工程とを包含する、方法。
IPC (9件)：
C01G 17/00 ,  C30B 29/32 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/187
FI (8件)：
C01G 17/00 ,  C30B 29/32 G ,  H01L 21/31 B ,  H01L 37/02 ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/18 101 B
Fターム (33件)：
4G077AA03 ,  4G077AA07 ,  4G077BC43 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EC09 ,  4G077FE03 ,  4G077FE12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4G077TC07 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC09 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045BB07 ,  5F045BB16 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045HA16 ,  5F083FR01 ,  5F083FR05 ,  5F083FR06 ,  5F083FR07 ,  5F083JA15 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F101BA62
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM