特許
J-GLOBAL ID：200903030257596917
バンプの形成方法およびめっき装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-081331
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275811
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】 エアの排出が容易で均一で良好なめっきによるバンプを形成する。【解決手段】 めっき槽32と、陰極に接続されると共に、被めっき物35が電気的に接続されて着脱可能に装着でき、装着される被めっき物35をめっき槽32のめっき液中にめっき液に対してほぼ垂直に、もしくはめっき面が上を向くように斜めに浸漬可能な保持治具34と、保持治具34に装着される被めっき物35の前方に、めっき面と若干の間隔を存して、かつ軸線がめっき面とほぼ垂直となるように配置される、絶縁体からなる筒体39と、筒体39内に、被めっき物35のめっき面と対向して配置される陽極板37と、陽極板37を貫通して配置され、筒体39内に位置する先端のノズル部よりめっき液をめっき面に噴射するノズル40とを具備することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体チップ等の被めっき物の表面にアンダーバリアメタルたる金属層を形成する工程と、該金属層上にレジスト層を形成する工程と、該レジスト層に微細ホールを形成して半導体チップのバンプを形成すべき部位の金属層を露出させる工程と、上記被めっき物を陰極に接続される保持治具に電気的接続をとって装着し、該保持治具に装着された被めっき物をめっき液中にめっき液に対してほぼ垂直に、もしくはめっき面が上を向くように斜めに浸漬して陽極板と対向させる工程と、被めっき物のめっき面に対向するノズル部を有するノズルからめっき液をめっき面に噴射しつつ前記電極に通電して前記金属層上の前記微細ホール内にめっきによりバンプを盛り上げる工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記バンプを形成した部位を除く部位の前記金属層を除去する工程とを具備することを特徴とするバンプの形成方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/92 604 B
, C25D 7/12
, H01L 21/92 604 N
, H01L 21/92 604 Z
