電荷検出装置並びにそれを含むMOS型固体撮像装置およびCCD型固体撮像装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296449
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101006
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】半導体基板20上に形成された浮遊拡散領域22に信号電荷を受けて、その浮遊拡散領域22の電位VFDに応じた出力信号を出力する電荷検出装置において、簡単に、出力信号のダイナミックレンジを広げること。【解決手段】半導体基板20の表面に形成された、信号電荷を供給する電荷供給部5を備える。上記基板表面に上記電荷供給部5から所定距離だけ離間して形成された浮遊拡散領域22を有する信号電荷蓄積部7を備える。信号電荷蓄積部7は、浮遊拡散領域22と基板20との間の接合容量CFDによって信号電荷を蓄積する。電荷供給部5と信号電荷蓄積部7との間の基板上に設けられたゲート電極32を有する転送部1を備える。転送部1のゲート電極32と信号電荷蓄積部7の浮遊拡散領域22とが、この浮遊拡散領域22の静電ポテンシャルが深くなるように容量結合している。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に形成された、信号電荷を供給する電荷供給部と、上記基板表面に上記電荷供給部から所定距離だけ離間して形成された浮遊拡散領域を有し、この浮遊拡散領域と上記基板との間の接合容量によって信号電荷を蓄積し得る信号電荷蓄積部と、上記電荷供給部と信号電荷蓄積部との間の基板上に設けられたゲート電極を有し、このゲート電極に与えられた電位に応じて上記電荷供給部からの信号電荷を上記信号電荷蓄積部へ転送する転送部と、上記信号電荷蓄積部に蓄積された信号電荷をリセットするリセット手段とを備えて、上記信号電荷蓄積部の浮遊拡散領域の電位に応じた出力信号を出力する電荷検出装置において、上記転送部のゲート電極と上記信号電荷蓄積部の浮遊拡散領域とが、この浮遊拡散領域の静電ポテンシャルが深くなるように容量結合していることを特徴とする電荷検出装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 27/148 , H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 F , H01L 27/14 A , H01L 27/14 B

Fターム (13件)：

4M118AA02 , 4M118AB01 , 4M118BA13 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118DD04 , 4M118FA06 , 4M118FA33 , 5C024CX43 , 5C024GX07 , 5C024GY01 , 5C024GY31 , 5C024JX21

引用特許：

出願人引用 (4件)

電荷転送装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-298793 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-094547
特開昭64-064261

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