レジストパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198362
公開番号（公開出願番号）：特開2003-316027
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：

【要約】【解決手段】 (a)基板上に、【化1】(式中、X1、X2は-O-、-S-、-NR-、-PR-又は-CR2-、RはH又はアルキル基、mは0〜3の整数)の単位を主鎖に側鎖に酸不安定基を有する重合体又は共重合体と、露光により酸を発生する酸発生剤とを含むレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する第一工程(b)レジスト膜をプリベークする第二工程(c)パターン露光を行う第三工程(d)ポストエクスポージャーベークする第四工程(e)このレジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する第五工程(f)レジストパターンをポストベークすることによってレジストパターンを熱フローさせる第六工程を有するレジストパターン形成方法。【効果】本発明によれば、半導体LSIの集積度の向上、即ち加工の微細度の向上をはかることができる。

請求項（抜粋）：

(a)基板上に、下記一般式[I]【化1】(式中、X1、X2は-O-、-S-、-NR-、-PR-、又は-CR2-から選ばれる。Rは水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を示す。mは0又は1〜3の整数を表す。)で表される構造単位を主鎖に、かつ側鎖に酸不安定基を部分的に有する重合体又は共重合体であるベース樹脂と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する第一工程と、(b)上記レジスト膜をプリベークする第二工程と、(c)プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う第三工程と、(d)パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする第四工程と、(e)ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する第五工程と、(f)上記レジストパターンをポストベークすることによってレジストパターンを熱フローさせる第六工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/40 511 , C08G 61/00 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 511 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/40 511 , C08G 61/00 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 511 , H01L 21/30 502 R

Fターム (56件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025BJ10 , 2H025CB08 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H025FA33 , 2H025FA39 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096HA01 , 2H096HA05 , 4J032BA02 , 4J032BA03 , 4J032BA04 , 4J032BA07 , 4J032BA08 , 4J032BA09 , 4J032BA12 , 4J032BA18 , 4J032BB01 , 4J032BB03 , 4J032BB05 , 4J032BB09 , 4J032BD01 , 4J032CA24 , 4J032CA25 , 4J032CA33 , 4J032CA35 , 4J032CA36 , 4J032CA43 , 4J032CA45 , 4J032CA68 , 4J032CB01 , 4J032CB04 , 4J032CB05 , 4J032CB12 , 4J032CC02 , 4J032CC03 , 4J032CE03 , 4J032CE05 , 4J032CF03 , 4J032CG06

引用特許：

審査官引用 (4件)

レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-302909 出願人：信越化学工業株式会社
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-074718 出願人：ジェイエスアール株式会社
化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-323332 出願人：信越化学工業株式会社

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