特許
J-GLOBAL ID：200903088677866241

化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
竹村 勝也

竹村 勝也 について

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小泉 賢治

小泉 賢治 について

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金子 達志

金子 達志 について

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桜田 豊久

桜田 豊久 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-323332
公開番号（公開出願番号）：特開2001-142199
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 分子内に一般式(1)-a〜cで示される官能基を2つ以上含有する化合物を含有してなることを特徴とするサーマルフロープロセスによるコンタクトホールパターン形成用化学増幅ポジ型レジスト材料。(式中、R1〜R4は水素原子又は直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R5〜R9は直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、隣接するRnは互いに結合して環状を成してもよい。)【効果】 化学増幅ポジ型レジスト材料を用いてコンタクトホールパターンを形成するに当たり、コンタクトホールパターンを加熱処理しコンタクトホールサイズを更に微細化する工程において、化学増幅ポジ型レジスト材料に用いられる高分子化合物と架橋することのできる官能基を分子内に2つ以上有した化合物を添加することによって、加熱微細化を容易に制御し、適応性に富んだプロセスを提供すると共に、超LSI製造用の微細コンタクトホールパターン形成を可能にする。
請求項（抜粋）：
分子内に一般式(1)-a〜(1)-cで示される官能基を2つ以上含有する化合物を含有してなることを特徴とするサーマルフロープロセスによるコンタクトホールパターン形成用化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、R1〜R4は水素原子又は炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R5〜R9は炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R1とR3、R4とR5、R5とR6、R7とR8又はR7とR9又はR8とR9は互いに結合して環状を成してもよい。)
IPC (5件)：
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (33件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AB20 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CC03 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA29 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H096HA01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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