特許
J-GLOBAL ID：200903030283260390

半導体用熱処理装置および半導体基板の熱処理方法

発明者：
南 眞嗣

南 眞嗣 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297721
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118839
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 本発明はロードロック室を備える半導体用熱処理装置に関し、小数キャリアのライフタイムを低下させることのない熱処理の実行を可能とすることを目的とする。【解決手段】 Siウェハ2をウェハボート3に搭載した状態で反応炉14に搬送する。反応炉14に酸化ガスを導入してSiウェハ2を酸化温度に昇温することでシリコン酸化膜を作成する。酸化処理の後に反応炉14の雰囲気を不活性ガスに置換してSiウェハを700°C程度まで冷却する。反応炉14およびロードロック室1の雰囲気を酸化ガスとして反応炉14からロードロック室1にSiウェハ2を搬出する。酸化ガスの雰囲気で満たされたロードロック室1の中でSiウェハ2を冷却する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に熱処理を施すための反応炉と、前記反応炉と導通し得る別室と、半導体基板を前記別室と反応炉との間で搬送する搬送機構とを備える半導体用熱処理装置であって、前記別室に対して酸化ガスを導入する酸化ガス導入機構を備えることを特徴とする半導体用熱処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/324
FI (3件)：
H01L 21/31 E ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/324 W
Fターム (17件)：
5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AD13 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045DP19 ,  5F045EB08 ,  5F045EC07 ,  5F045EJ10 ,  5F045EN05 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BH03
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 酸化膜の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-188495   出願人：日本電気株式会社
  • 熱処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-286070   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 特開平4-084432

前のページに戻る

TOP

BOTTOM