特許
J-GLOBAL ID：200903096121761486

酸化膜の作製方法

発明者：
村松 諭

村松 諭 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-188495
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021875
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 酸化炉において熱酸化を行った膜の界面準位が低減した高信頼性の酸化膜の作製方法を提供する。【解決手段】 ロードロック室でボートにSiウェーハを積載する。炉内の温度を780°Cにした後、ボートを石英管内に上昇させロードする。炉内にN2 +10%O2 混合ガスを導入し、10°C/分の速度で850°Cに昇温する。続いて、H2 +O2 混合ガスを燃焼させてH2 O(水蒸気)を形成し炉内に導入して、Si表面にSiO2 膜を作製する。その後、H2 Oを流し続けながら、3°C/分の速度で800°Cに降温し、ボートをロードロック室内にアンロードする。
請求項（抜粋）：
ウェーハに熱酸化により酸化膜を作製する方法において、酸化炉の降温時および/またはウェーハのアンロード時に、700°C以上の温度下で、ウェーハを水素原子を含む雰囲気に曝露する工程を含むことを特徴とする酸化膜の作製方法。
Fターム (6件)：
5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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