特許
J-GLOBAL ID：200903030298391548
半導体ウエファ支持用サセプタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332089
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186227
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 迅速な加熱を行うエピタキシアルウエファプロセスのためのサセプタを提供する。【解決手段】 サセプタ10は、ウエファ12が支持される外側支持リング14を有する。外側支持リング14は、好適には一結晶体の炭化ケイ素から形成され、特に好適には高純度β相(面心立方体の)炭化ケイ素から形成される。ウエファ12は、リング14の小さいウエファ肩部26に支持される。ウエファ12の後面又は下面への付着を防止するために、閉鎖部材肩部28がウエファ肩部26の下のリング14内に提供され、閉鎖部材16が閉鎖部材肩部28上に配置される。閉鎖部材16は、好適には石英から構成され、閉鎖部材肩部28上に簡単に支持される。この方法では、リング14及び閉鎖部材16は迅速な温度変化の際に異なる速度で膨張可能であり、閉鎖部材16又はリング14が交換可能である。
請求項（抜粋）：
上側面と、下側面と、内側壁と、外側壁とを備えた環状のリングを具備し、該内側壁は、ウエファを収容するために構成されかつ配列されたウエファ肩部を有し、更に前記ウエファ肩部の下の所定の位置で前記リングに取付けられる閉鎖部材を具備し、該閉鎖部材は、前記リングと前記閉鎖部材との間に半径方向の隙間を有するように取付けられ、熱膨張の差異を許容するために、前記閉鎖部材は、前記リングに関して半径方向に相対運動が可能であることを特徴とする、付着工程の際の単一の半導体ウエファ支持用サセプタ。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, C23C 16/44
, C30B 25/12
, H01L 21/205
H01L 21/68 N
, C23C 16/44 H
, C30B 25/12
, H01L 21/205
