薄膜サーミスタ素子および薄膜サーミスタ素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大前要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-156626
公開番号（公開出願番号）：特開2000-348904
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】経時変化を少なく抑え、高温耐久性などを向上させて、高い信頼性を得ることができるとともに、抵抗値等のバラツキを小さく抑えて、高い精度を得ることができる薄膜サーミスタ素子を形成する。【解決手段】アルミナから成る下地基板12上に、サーミスタ薄膜13と、Pt薄膜から成る1対のくし形電極14,15とが形成されて成っている。上記サーミスタ薄膜13は、例えばMn-Co-Niの複合酸化物から成り、ビックスバイト型結晶構造を有している。

請求項（抜粋）：

サーミスタ薄膜と、上記サーミスタ薄膜に設けられた1対の電極とを有する薄膜サーミスタ素子であって、上記サーミスタ薄膜が、ビックスバイト型結晶構造を有していることを特徴とする薄膜サーミスタ素子。

Fターム (7件)：

5E034BA09 , 5E034BB08 , 5E034BC02 , 5E034DA02 , 5E034DC05 , 5E034DE16 , 5E034DE17

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平2-179866
薄膜サーミスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-074418 出願人：株式会社芝浦電子

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