アクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法及びアクティブマトリクス液晶表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191987
公開番号（公開出願番号）：特開平10-082997
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 TFTの安定的な特性を保ち、画質とコトラストの低下がなく、また高い開口率をもつアクティブマトリクス液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法は、透明基板111上にゲートバス配線から分岐するゲート電極117aを形成する工程と、該透明基板11上にゲート絶縁膜123を被着する工程と、ゲート電極部上のゲート絶縁膜上に半導体層122とオーミック接触層125を積層して形成する工程と、前記オーミック接触層と接触される、ソースバス配線から分岐するソース・ドレイン電極115a,115bを形成する工程と、オーミック接触層の中央部分のエッチングにより露出された半導体層表面にN2、Nを含むガス、Fを含むガス、O2ガスプラズマで界面処理136する工程と、界面処理された半導体層などを覆うように有機絶縁膜の保護膜126を被着する工程と、保護膜上にドレイン電極とコンタクトホール131を通して、接触される画素電極を形成する工程を含む。

請求項（抜粋）：

ゲートバスラインから分岐するゲート電極と、前記ゲート電極を覆う第1保護層と、半導体層と、オーミック接触層と、データバスラインから分岐したソース/ドレイン電極とを有するスイッチング素子と、前記半導体層を覆う第2保護層を含む液晶表示装置の製造方法において、前記半導体層を表面処理する工程と、前記表面処理された半導体層を覆うように有機物質で、前記第2保護層を被着する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 , G09F 9/35 302 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , G09F 9/35 302 , H01L 29/78 612 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-122072
特開平4-257826
特開昭64-024231

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