特許

J-GLOBAL ID：200903030382425385

欠陥検査用半導体基板、半導体基板の検査方法および半導体基板検査用モニター装置

発明者： 小野山 歩 ,  櫻井 光一 ,  岡 一宏 ,  石井 宏之 ,  宮崎 陽子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265145
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093951
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 検査装置の機能や構成を変えることなく、欠陥を検出しやすくする欠陥検査用半導体基板を得る。【解決手段】 欠陥検査用半導体基板は、半導体基板13に下地膜1を設けたもので、下地膜1は、パターン12の膜形成部22の膜面と非膜形成部23との検査光に対するコントラストが、半導体基板13表面と膜形成部22の膜面とのコントラストより大きくするようなものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に、膜形成部と非膜形成部を配置してなるパターンにおける、照射光に対する上記膜形成部と非膜形成部との下式(1) コントラスト値=|R2-R3|/(R2+R3) ・・(1)(式中、R2は膜形成部での反射率、R3は非膜形成部での反射率である。)で示されるコントラストを、上記半導体基板と上記パターンの膜形成部とのコントラストより大きくなるようにする下地膜とを備えた欠陥検査用半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/956

FI (3件)：

H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 Y ,  G01N 21/956 A

Fターム (23件)：

2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051BA20 ,  2G051CA02 ,  2G051CB01 ,  4M106AA08 ,  4M106AA10 ,  4M106AA11 ,  4M106AA13 ,  4M106AB07 ,  4M106AB17 ,  4M106AC02 ,  4M106CA19 ,  4M106CA39 ,  4M106CA41 ,  4M106DB07 ,  4M106DB30 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-041874   出願人：株式会社日立製作所
• 位置合せマーク並びに該マークを有する電子装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-004570   出願人：ソニー株式会社
• コンタクトホール検査用標準試料、その製造方法およびコンタクトホール検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-340636   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭61-250547
  

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-041874   出願人：株式会社日立製作所