特許

J-GLOBAL ID：200903030382792230

多孔性物質

発明者： クレイグ・エス・アレン ,  ニコイ・アナン ,  ロバート・エム・ブランケンシップ ,  マイケル・ケイ・ギャラガー ,  ロバート・エイチ・ゴア ,  アンジェロ・エー・ラモラ ,  ユジアン・ユー
出願人/特許権者： シップレーカンパニー エル エル シー
代理人 (1件)： 千田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-302537
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210142
出願日： 2000年10月02日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 電子部品工業において有用な低誘電率の多孔性誘電体物質および該多孔性誘電体物質の製造方法を提供する。【解決手段】 a)除去可能なポリマーポロゲンを、B-段階の誘電体物質中に分散させ;b)B-段階の誘電体物質を硬化して、実質的にポロゲンを分解することなく誘電体マトリックス物質を形成させ;さらにc)誘電体マトリックス物質を、実質的に誘電体物質を分解することなく、少なくとも部分的にポロゲンを除去して多孔性誘電体物質を形成する条件に供する工程を含み;該ポロゲンがB-段階の誘電体物質と実質的に相溶性である、多孔性誘電体物質を製造する方法が開示される。

請求項（抜粋）：

a)除去可能なポリマーポロゲンを、B-段階の誘電体物質中に分散させ;b)B-段階の誘電体物質を硬化して、実質的にポロゲンを分解することなく誘電体マトリックス物質を形成させ;さらにc)誘電体マトリックス物質を、実質的に誘電体物質を分解することなく、少なくとも部分的にポロゲンを除去して多孔性誘電体物質を形成する条件に供する工程を含み;該ポロゲンがB-段階の誘電体物質と実質的に相溶性である、多孔性誘電体物質を製造する方法。

IPC (6件)：

H01B 3/46 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  C08J 9/26 CFH ,  C08J 9/26 102 ,  C08L 83:04

FI (6件)：

H01B 3/46 B ,  H01L 21/312 A ,  C08J 9/26 CFH ,  C08J 9/26 102 ,  C08L 83:04 ,  H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 多孔質膜、その製造法及び物品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-023140   出願人：日立化成工業株式会社, 旭硝子株式会社