特許
J-GLOBAL ID：200903030400996700
プロセスによるダメージを受けた強誘電体膜の電圧サイクリングによる回復
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-568106
公開番号（公開出願番号）：特表2003-532275
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2003年10月28日
要約：
【要約】金属酸化物強誘電体薄膜(122)を含む集積回路が形成される。電圧サイクリング回復プロセスが、水素により生じる強誘電特性の劣化をなくすために行われる。電圧サイクリング回復プロセスは、1〜15ボルトの振幅で104〜1011の電圧サイクルを印加することによって行われる。30°C〜200°Cの範囲内のより高温で電圧サイクリングを行うことにより回復が促進する。金属酸化物薄膜(122)は、鉛ジルコニウムチタネート(PZT)のようなペロブスカイト材料、または好適にはストロンチウムビスマスタンタレート(SBT)あるいはストロンチウムビスマスタンタルニオベート(SBTN)のような層状超格子材料を含む。集積回路製造が形成ガスアニーリングを含む場合、電圧サイクリング回復プロセスが形成ガスアニーリング後に行われる。
請求項（抜粋）：
集積回路を製造する方法であって、強誘電体金属酸化物材料の薄膜(122、222、322、622)を含む集積回路部を形成する工程と、該強誘電体金属酸化物材料に多くの電圧サイクルを印加することにより、電圧サイクリング回復プロセスを行う工程であって、該電圧サイクル数は104サイクル以上である、工程とを包含し、該電圧サイクルを印加する前に、水素化条件または還元条件を引き起こすプロセスサブ工程を行うことを特徴とする、方法。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 444 B
, H01L 27/10 444 A
, H01L 27/10 444 Z
, H01L 29/78 371
5F083FR02
, 5F083FR06
, 5F083GA21
, 5F083HA06
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083PR18
, 5F083PR33
, 5F083PR34
, 5F101BA62
