特許
J-GLOBAL ID:200903030417000870
配線膜用Al合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-273828
公開番号(公開出願番号):特開2005-171378
出願日: 2004年09月21日
公開日(公表日): 2005年06月30日
要約:
【課題】 高精細な大型TVや低いプロセス温度の種々の平面表示装置に適応可能なより低抵抗で高い信頼性を有する優れた配線膜用Al合金膜とそのAl合金膜を形成するためのスパッタリング用ターゲットを提供する。【解決手段】 添加元素としてGeを0.2〜1.5原子%、さらにNiを0.2〜2.5原子%含み、添加元素の総和が3.0原子%以下、残部実質的にAlからなる配線膜用Al合金膜である。また、上記組成の配線膜用Al合金膜を得るための、Geを0.2〜1.5原子%、さらにNiを0.2〜2.5原子%含み、添加元素の総和が3.0原子%以下、残部実質的にAlからなる配線膜形成用スパッタリングタ-ゲット材である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
添加元素としてGeを0.2〜1.5原子%、さらにNiを0.2〜2.5原子%含み、添加元素の総和が3.0原子%以下、残部実質的にAlからなることを特徴とする配線膜用Al合金膜。
IPC (5件):
C23C14/34
, C22C21/00
, H01L21/28
, H01L21/285
, H01L21/3205
FI (5件):
C23C14/34 A
, C22C21/00 A
, H01L21/28 301R
, H01L21/285 S
, H01L21/88 N
Fターム (30件):
4K029AA09
, 4K029BA23
, 4K029BD02
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029DC04
, 4K029DC08
, 4K029GA01
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB38
, 4M104DD37
, 4M104DD40
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH03
, 4M104HH15
, 4M104HH16
, 5F033GG04
, 5F033HH10
, 5F033HH38
, 5F033LL09
, 5F033PP15
, 5F033QQ08
, 5F033QQ19
, 5F033VV15
, 5F033XX09
, 5F033XX16
, 5F033XX18
引用特許:
前のページに戻る