特許
J-GLOBAL ID:200903030506344419
半導体製造装置用部材と半導体製造装置および3-5族化合物半導体とそれを用いた発光素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
久保山 隆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-176094
公開番号(公開出願番号):特開2001-044128
出願日: 2000年05月08日
公開日(公表日): 2001年02月16日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】機械加工性および摺動性に優れた、3-5族化合物半導体の製造装置用部材を提供し、さらに該製造装置用部材を用いて、該3-5族化合物半導体に適した生産性の高い製造装置を提供する。また、該製造装置を用いて製造され、発光強度、および発光波長の均一性が改善された、該3-5族化合物半導体を用いた発光素子を提供する。【解決手段】 特に発光素子に用いる一般式InxGayAlzN(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体を、ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法により製造する装置用部材として、窒化ホウ素を含有する焼結体を用いることを特徴とする。
請求項(抜粋):
一般式InxGayAlzN(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体を、ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法により製造する装置用部材において、窒化ホウ素を含有する焼結体を用いることを特徴とする3-5族化合物半導体の製造装置用部材。
IPC (6件):
H01L 21/205
, H01L 33/00
, C04B 35/10
, C04B 35/584
, C04B 35/583
, C04B 35/581
FI (6件):
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, C04B 35/10 Z
, C04B 35/58 102 E
, C04B 35/58 103 Y
, C04B 35/58 104 N
引用特許:
引用文献:
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