特許
J-GLOBAL ID：200903030506901482
電子回路およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
飯田 敏三
, 佐々木 渉
, 宮前 尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-029780
公開番号（公開出願番号）：特開2009-188360
出願日： 2008年02月08日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：
【課題】電子回路のマイグレーションを防止し、長時間駆動した場合であっても絶縁抵抗が低下しない電子回路、および高い導電性を有する導電膜を、低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】支持体12上に金属を含有する金属配線部14を形成する金属配線部形成工程と、金属配線部に金属イオントラップ剤(メルカプト化合物含有溶液)を接触させ、金属配線部にメルカプト化合物を吸着させるメルカプト化合物吸着工程とを有することを特徴とする電子回路10の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
金属を含有する金属配線部を備えた電子回路であって、前記金属配線部に難溶性金属塩を形成する金属イオントラップ剤が吸着されていることを特徴とする電子回路。
IPC (3件)：
H05K 3/22
, H01B 5/14
, H01B 13/00
H05K3/22 Z
, H01B5/14 B
, H01B13/00 503D
, H01B13/00 503C
5E343AA02
, 5E343AA16
, 5E343AA26
, 5E343AA33
, 5E343BB24
, 5E343BB25
, 5E343BB28
, 5E343BB34
, 5E343BB72
, 5E343CC32
, 5E343DD01
, 5E343EE52
, 5E343ER18
, 5E343ER60
, 5E343GG14
, 5E343GG20
, 5G323BA03
, 5G323BB01
, 5G323BC03
, 5G323CA03
, 5G323CA05
