特許

J-GLOBAL ID：200903030530254684

絶縁膜、絶縁膜の形成方法、半導体素子、電子デバイスおよび電子機器

発明者： 関 伸介
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-028205
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216792
出願日： 2005年02月03日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：

【課題】所望の比誘電率を有し、機械的強度に優れる絶縁膜、この絶縁膜を容易に形成し得る絶縁膜の形成方法、この絶縁膜を備える半導体素子、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の絶縁膜は、導電体同士を絶縁するものであって、絶縁性基材42中に、当該絶縁膜の膜強度を向上させる絶縁性粒子41を含有してなるものである。この絶縁膜は、絶縁性粒子41として、絶縁性基材42の比誘電率と異なる比誘電率の粒子を用いることにより、その比誘電率を調整したものである。例えば、絶縁性粒子41として、絶縁性基材42の比誘電率より低い比誘電率の粒子を用いることにより、絶縁膜全体の比誘電率を調整(低下)することができ、かかる絶縁膜は、層間絶縁膜に好適に適用される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

導電体同士を絶縁する絶縁膜であって、 当該絶縁膜は、絶縁性基材中に、前記絶縁膜の膜強度を向上させる絶縁性粒子を含有してなるものであり、 前記絶縁性粒子として、前記絶縁性基材の比誘電率と異なる比誘電率の粒子を用いることにより、前記絶縁膜の比誘電率を調整することを特徴とする絶縁膜。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (5件)：

H01L21/312 C ,  H01L21/312 B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301N ,  H01L21/90 J

Fターム (73件)：

5F033HH08 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK01 ,  5F033NN01 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW04 ,  5F033WW09 ,  5F033XX12 ,  5F033XX14 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058AC02 ,  5F058AC03 ,  5F058AD12 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA07 ,  5F140BA12 ,  5F140BA13 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD16 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF60 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK12 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC00 ,  5F140CC02 ,  5F140CC04 ,  5F140CC10 ,  5F140CC11 ,  5F140CC19 ,  5F140CE07 ,  5F140CF05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-167346   出願人：日立化成工業株式会社
• 多層配線構造の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-068617   出願人：沖電気工業株式会社