特許
J-GLOBAL ID：200903084197890155
シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及びそれを用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-167346
公開番号（公開出願番号）：特開平11-012540
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 成膜性が良好でかつ低誘電率であるシリカ系被膜を製造することができるシリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及びこのシリカ系被膜を層間絶縁膜として有する半導体装置を提供する。【解決手段】 (A)一般式(I)で表されるテトラアルコキシシラン、(B)一般式(II)で表されるエチルトリアルコキシシラン及び(C)一般式(III)(ただし、上記3式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示し、Rは同一でも異なっていてもよい)で表されるジメチルジアルコキシシランとを溶媒中に水及び触媒の存在下に加水分解及び縮重合した得られるシロキサンオリゴマーを含むシリカ系被膜形成用塗布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後、50〜200°Cで乾燥し、ついで300〜500°Cで焼成してなるシリカ系被膜並びにこのシリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置。
請求項（抜粋）：
(A)一般式(I)【化1】(ただし、式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示し、4個のRは同一でも異なっていてもよい)で表されるテトラアルコキシシラン、(B)一般式(II)【化2】(ただし、式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示し、3個のRは同一でも異なっていてもよい)で表されるエチルトリアルコキシシラン及び(C)一般式(III)【化3】(ただし、式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示し、2個のRは同一でも異なっていてもよい)で表されるジメチルジアルコキシシランとを溶媒中に水及び触媒の存在下に加水分解及び縮重合した得られるシロキサンオリゴマーを含むシリカ系被膜形成用塗布液。
IPC (3件)：
C09D183/04
, C01B 33/12
, H01B 3/46
C09D183/04
, C01B 33/12 C
, H01B 3/46 E
