特許
J-GLOBAL ID：200903030537512948
チタン系材料膜とシリコン酸化膜の選択的エッチング液及びそのエッチング液を用いた半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191179
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040550
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 チタン系材料膜とシリコン酸化膜の一方を選択的にエッチングし、あるいはその両方を当即でエッチングするエッチング液及びそのエッチング液を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のチタン系材料膜とシリコン酸化膜の選択的エッチング液は、HCl,NH4F及びH2Oの混合液からなる。NH4F/HClモル比が1付近でSrTiO3とシリコン酸化膜のエッチング速度は略等しくなる。NH4F/HClモル比が1以下ではSrTiO3のエッチング速度が大きく、1以上ではシリコン酸化膜のエッチング速度が大きい。この特性を利用して、シリコン酸化膜上のチタン系材料膜や、チタン系材料膜上のシリコン酸化膜を選択的にエッチングし、あるいは同時にエッチングすることができる。
請求項（抜粋）：
HCl,NH4F及びH2Oの混合液からなることを特徴をするチタン系材料膜とシリコン酸化膜の選択的エッチング液。
FI (2件)：
H01L 21/308 E
, H01L 21/308 F
