半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-237070
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068591
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ装置をサブマウントにマウントするときに応力を一箇所に集中させない半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体基板上に、活性層を含む半導体層が積層されてなるリッジ部と、そのリッジ部の両側に埋め込み成長されたブロック層とを備え、かつリッジ部とその両側のブロック層上にコンタクト層を形成してなる半導体レーザ装置であって、コンタクト層の上面にリッジ部に沿ってリッジ部の幅より広い幅の凹部を設けた。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、活性層を介して半導体層が積層されてなるリッジ部とそのリッジ部の両側に埋め込み成長されたブロック層とを備え、上記リッジ部とその両側のブロック層上にコンタクト層が形成されてなる半導体レーザ装置であって、上記コンタクト層の上面に上記リッジ部に沿って上記リッジ部の幅より広い幅の凹部を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (4件)：

5F073AA13 , 5F073AA51 , 5F073CA14 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レ-ザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-097786 出願人：日本ビクター株式会社
特開平2-181488
特開昭57-126190

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