特許

J-GLOBAL ID：200903030552139277

電子部品及びその製造方法

発明者： 五十嵐 克彦 ,  角田 宏郁 ,  仁宮 恵美 ,  佐藤 芳子
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (1件)： 木森 有平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-353990
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166470
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】 抵抗値(ESR)が高く、抵抗値(ESR)を任意に制御することが可能な電子部品及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 卑金属を含む内部電極層22とセラミック絶縁層21とを有し、内部電極層22の端面が露出したセラミック積層体2を形成するセラミック積層体形成工程と、セラミック積層体2の内部電極層22の露出面に、内部電極層22の端面の一部を被覆するように貴金属を含む端子電極層3を形成する端子電極層形成工程と、酸化雰囲気中で酸化処理することにより、内部電極層22の端面のうち端子電極層3により被覆されていない領域を酸化し、酸化物絶縁領域22aとする酸化物絶縁領域形成工程とを有する。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

卑金属を含む内部電極層及びセラミック絶縁層を有し、前記内部電極層の端面が露出したセラミック積層体と、前記セラミック積層体の前記内部電極層の露出面に形成され貴金属を含む端子電極層とを有する電子部品であって、 前記内部電極層の端面の一部を被覆するように前記端子電極層が形成されており、前記内部電極層の端面のうち前記端子電極層により被覆されていない領域が酸化されていることを特徴とする電子部品。

IPC (2件)：

H01G 4/12 ,  H01G 4/30

FI (5件)：

H01G4/12 352 ,  H01G4/12 361 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 301C ,  H01G4/30 311D

Fターム (13件)：

5E001AB03 ,  5E001AF03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ03 ,  5E082AB03 ,  5E082BC14 ,  5E082DD02 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082GG10 ,  5E082GG12 ,  5E082GG21

引用特許：

出願人引用 (2件)

• CR素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-105977   出願人：三菱マテリアル株式会社
• ヒューズ内蔵積層セラミックチップコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-344187   出願人：株式会社トーキン, トーキンセラミクス株式会社