特許
J-GLOBAL ID:200903030558048931

半導体ストリップの切り離しおよび組み立て

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 三好 秀和 ,  伊藤 正和
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-504033
公開番号(公開出願番号):特表2006-525137
出願日: 2004年05月07日
公開日(公表日): 2006年11月09日
要約:
細長い半導体ストリップ(630)を半導体材料のウェハ(400)から切り離すための方法および装置を開示する。ウェハ(400)の縁部を形成するか、またはその縁部に隣接する各半導体ストリップの面を真空吸着(500)する。ウェハ(400)および真空源(500)を移動させて、各細長い半導体ストリップ(630)をウェハ(400)から切り離す。さらに半導体材料のウェハ(400)から切り離された細長い半導体ストリップ(630)をストリップ(630)のアレイの形に組み立てるための方法および装置を開示する。さらに、基板上にアレイの細長い半導体ストリップ(630)を組み立てるための方法、装置、およびシステムについても開示する。
請求項(抜粋):
細長い半導体ストリップを半導体材料のウェハから切り離す方法であって、 互いに対して実質的に平行な形でウェハ中に形成された複数の細長い半導体ストリップを供給するステップであり、 前記ウェハが、実質的に平面の表面と、その実質的に平面の表面に対して直角に厚さ寸法と、前記半導体ストリップの対向する末端部に位置し前記ストリップを前記ウェハに接続するフレーム部分とを有し、 前記半導体ストリップがそれぞれ、ウェハ厚さと少なくとも実質的に等しい幅と、前記幅よりも小さい、前記ストリップの厚さ寸法とを有し、 少なくとも1つの細長い半導体ストリップの面が、前記ウェハの縁部を縦に形成するか、または前記縁部に最も近く隣接するものである、ステップ、 前記縁部を形成するか、または前記縁部に隣接する前記細長い半導体ストリップを真空吸着するステップ、および 前記ウェハと前記真空源とを互いに対して所定の距離だけ移動させ、真空吸着された前記細長い半導体ストリップを前記ウェハから切り離すステップ を含むことを特徴とする方法。
IPC (3件):
B28D 5/00 ,  H01L 31/04 ,  H01L 21/683
FI (3件):
B28D5/00 Z ,  H01L31/04 A ,  H01L21/68 P
Fターム (16件):
3C069AA01 ,  3C069AA03 ,  3C069BA00 ,  3C069BB04 ,  3C069CA05 ,  3C069EA02 ,  3C069EA05 ,  5F031CA02 ,  5F031HA13 ,  5F031MA34 ,  5F031PA30 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB28 ,  5F051CB30
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭59-117235
  • シート状基板の分割方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-335397   出願人:松下電器産業株式会社

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