特許
J-GLOBAL ID：200903030598874907

光触媒装置

発明者：
高林 外広

高林 外広 について

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高橋 伸忠

高橋 伸忠 について

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高木 憲一

高木 憲一 について

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原 英昭

原 英昭 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について

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株式会社タカギセイコー

株式会社タカギセイコー について

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富山県

富山県 について


代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-051641
公開番号（公開出願番号）：特開2002-248355
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月03日
要約：
【要約】【課題】剥離強度が高く、かつ、光触媒性能の高い光触媒膜を得る。【解決手段】本発明の光触媒膜10の基材11表面には下地層13が形成されており、活性触媒膜17をスパッタリング法などで成形する際に、基材11が下地層13によって保護され変形しないので、活性遮断層17の膜厚を厚くすることができる。また、光触媒層17を成膜する際に、基材11は厚みの厚い活性遮断層17によって保護されるので、結晶構造の良好な酸化チタンからなる光触媒層17を得ることができる。活性遮断層17の膜厚が大きい場合には、光触媒膜10全体の硬度が高くなるので、本発明によれば光触媒性能が高く、且つ、堅牢な光触媒膜10を基材11の変形無しに製造することができる。
請求項（抜粋）：
樹脂から成る基材と、前記基材表面に形成され、無機材料を主成分とする下地層と、前記下地層上に形成され、無機材料を主成分とする活性遮断層と、前記活性遮断層上に形成され、酸化チタンを主成分とする光触媒層とを有する光触媒装置であって、前記下地層の厚さは前記活性遮断層の厚さよりも小さく、前記下地層は真空雰囲気中で、前記樹脂の軟化温度未満の条件で成膜された光触媒装置。
IPC (6件)：
B01J 35/02 ,  B01J 21/08 ,  B01J 37/02 301 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40
FI (6件)：
B01J 35/02 J ,  B01J 21/08 M ,  B01J 37/02 301 P ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/08 N ,  C23C 16/40
Fターム (58件)：
4F100AA01B ,  4F100AA01C ,  4F100AA20B ,  4F100AA20C ,  4F100AA21D ,  4F100AA40B ,  4F100AB11B ,  4F100AH06B ,  4F100AK45A ,  4F100AR00C ,  4F100AR00D ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100EH66C ,  4F100EH66D ,  4F100EJ61B ,  4F100JA20B ,  4F100JA20C ,  4F100JD01C ,  4F100JK06 ,  4F100JL08D ,  4F100JN00D ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA02A ,  4G069BA02B ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BA48A ,  4G069DA05 ,  4G069EA08 ,  4G069EB15X ,  4G069EB15Y ,  4G069FA03 ,  4G069FB02 ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BB02 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029EA01 ,  4K029FA07 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA11
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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