特許

J-GLOBAL ID：200903030606485761

炭素膜作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269270
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020975
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【構成】 基板上に炭素膜を形成するに際し、反応容器内壁または基板ホルダに対し、プラズマクリーニングを行うことによって、不純物の除去を行う。また、基板上に炭素膜を形成するに際し、予め反応容器内壁または基板ホルダに真性または実質的に真性な炭素膜を形成することにより、基板上に形成される炭素膜中に反応容器内壁または基板ホルダより再放出された不純物が混入することを防止する。

請求項（抜粋）：

プラズマ気相法により反応容器内に設けられた基板上に炭素膜を形成するに際し、プラズマ化させた水素、酸素、弗素化合物またはその混合物気体により前記反応容器の内壁または基板ホルダに形成された炭素膜または炭素を主成分とする膜をプラズマクリ-ニングし、この後、前記反応容器内に基板を配設し、プラズマ気相法により炭素または炭素を主成分とする膜を形成することを特徴とする炭素膜作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-092218
  
• 炭素被膜のエツチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-169305   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-119126