半導体発光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-315860
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220223
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】安定な自励発振特性を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型SiC基板101上に、n型GaN層102、n型AlGaNクラッド層103n、n型GaN型光ガイド層104n、InGaN量子井戸活性層105、p型GaN光ガイド層104p、p型AlGaNクラッド層103p、p型GaNコンタクト層105が順次形成されている。さらに、p型光ガイド層104p中には、InGaN可飽和吸収層200が形成されている。この構造では、可飽和吸収層のドーピングレベルを5×1017cm-3にしている。これによりキャリアの寿命を低減でき、安定した自励発振特性が得られる。

請求項（抜粋）：