高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-346891
公開番号（公開出願番号）：特開2002-220419
出願日： 2001年11月13日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【解決手段】式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>はH、F、アルキル又はフッ素化されたアルキル、R<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>はH、F、アルキル又はフッ素化されたアルキル、R<SP>4</SP>〜R<SP>6</SP>の中に少なくとも一個フッ素原子を含む。R<SP>7</SP>は酸不安定基、0<d+e<5、0<g+h≦5である。0<(a+b)/(a+b+c)<1、0<c/(a+b+c)<0.8。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には190nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は同一又は異種の水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であるが、R<SP>4</SP>〜R<SP>6</SP>の中に少なくとも一個以上のフッ素原子を含む。R<SP>7</SP>は酸不安定基であり、0≦d<5、0≦e<5、0<f<5、0≦g≦5、0≦h≦5の範囲であり、0<d+e<5、0<g+h≦5である。また、0≦a/(a+b+c)<1、0≦b/(a+b+c)<1、0<(a+b)/(a+b+c)<1であり、0<c/(a+b+c)<0.8である。)

IPC (5件)：

C08F212/14 , C08F216/12 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (5件)：

C08F212/14 , C08F216/12 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (47件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AB07P , 4J100AB07R , 4J100AE38Q , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA07Q , 4J100BA11Q , 4J100BA15Q , 4J100BB07P , 4J100BB07R , 4J100BB18P , 4J100BB18R , 4J100BC03Q , 4J100BC04Q , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC12Q , 4J100BC22Q , 4J100BC23Q , 4J100BC53Q , 4J100BC60Q , 4J100CA03 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100DA61 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (2件)

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-346933 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-017972 出願人：信越化学工業株式会社

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