特許
J-GLOBAL ID：200903030626985108

半導体装置

発明者：
茂浦口 明雄

茂浦口 明雄 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


代理人 (1件)： 長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-279041
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086697
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 高いQのオンチップタイプのインダクタを有する半導体装置を実現する。【解決手段】 高抵抗の支持基板上1に埋込酸化膜2を介してSOI層3を形成したSOI基板と、該SOI基板上の前記SOI層を一部除去することにより露出した前記埋込酸化膜上に層間絶縁膜4を介して形成したインダクタ5とを有する。
請求項（抜粋）：
高抵抗の支持基板上に埋込酸化膜を介してSOI層を形成したSOI基板と、該SOI基板上の前記SOI層を一部除去することにより露出した前記埋込酸化膜上に層間絶縁膜を介して形成したインダクタとを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/822 ,  H01F 17/00 ,  H01F 17/02 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06
FI (5件)：
H01F 17/00 B ,  H01F 17/02 ,  H01L 27/04 L ,  H01L 27/06 321 C ,  H01L 21/76 D
Fターム (15件)：
5E070AA01 ,  5E070CA06 ,  5F032AA03 ,  5F032AA09 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032DA22 ,  5F038AZ04 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC05 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BG05
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-123384   出願人：株式会社日立製作所
  • MOS入出力回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-257221   出願人：日本電信電話株式会社

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