半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-123384
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316420
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【構成】高抵抗Si基板(1)を用い、配線(11)の直流バイアスにより近傍の基板表面に反転層が生じて基板の実質的な抵抗が低下することを防ぐため、配線近傍の絶縁膜(12)/基板界面に電荷捕獲準位を有するSi層(16)を挿入する。【効果】配線の直流バイアスにより絶縁膜/基板界面に誘起された電荷はほとんど全て電荷捕獲準位に捕獲されてしまい反転層すなわち可動電荷は生じない。その結果、半絶縁性GaAs基板の場合とほぼ同等の伝送線路の損失や平面インダクタのQ値を得ることができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、該シリコン基板上に形成された表面絶縁膜と、該表面絶縁膜上に形成された配線とを有し、少なくとも該配線の下部あるいは周辺部の該シリコン基板と該表面絶縁膜の界面に電荷捕獲準位を有する層が形成されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/04 F , H01L 27/04 D

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-024594 出願人：松下電器産業株式会社
半導体ミリ波装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-230251 出願人：日産自動車株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-210336 出願人：日産自動車株式会社

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