特許

J-GLOBAL ID：200903030631669842

不揮発性メモリ

発明者： 名古 久美男 ,  小佐野 浩一 ,  村岡 俊作
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-210632
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032728
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 対向する電極間に電気抵抗値が変化する金属酸化物を設け、低消費電力で駆動する低コスト、大記憶容量の低クロストークの特に携帯用機器のメモリとして最適な不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 本発明の不揮発性メモリは、クロスポイントメモリ構造または三次元構造を有する不揮発性メモリであって、対向する電極間に電気抵抗値が変化する金属酸化物を設け、前記対向する両電極のうち少なくとも一方の電極の金属酸化物と接触する面に電界集中部を設けたものである。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板の上に配置された下部電極と、前記下部電極と対向する上部電極と、前記下部電極と上部電極との間に形成された金属酸化物を備えた不揮発性メモリであって、前記対向する電極の少なくとも一方の電極の金属酸化物と接触する面に電界集中部を設けたことを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (2件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00

FI (2件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 C

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電気的にプログラム可能な抵抗特性を有する、クロストークが低いクロスポイントメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-152419   出願人：シャープ株式会社