特許
J-GLOBAL ID：200903060607168260

電気的にプログラム可能な抵抗特性を有する、クロストークが低いクロスポイントメモリ

発明者：
シェン テン スー

シェン テン スー について

, 
ウェイ-ウェイ サン

ウェイ-ウェイ サン について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-152419
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068983
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 クロストークが低い、電気的な抵抗特性を有するクロスポイントメモリ構造を提供すること。【解決手段】 本発明によるメモリ構造は、a)基板と、b)上記基板上に設けられた複数の下部電極と、c)上記下部電極上に設けられた複数の上部電極であって、上記上部電極は、上記下部電極と交差し、交差するそれぞれの位置にクロスポイントを形成する、上部電極と、d)各クロスポイントにおける上記複数の上部電極と上記複数の下部電極との間に配置されたアクティブ層であるペロブスカイト材料と、を含む。
請求項（抜粋）：
a)基板と、b)該基板上に設けられた複数の下部電極と、c)該下部電極上に設けられた複数の上部電極であって、該上部電極は、該下部電極と交差し、交差するそれぞれの位置にクロスポイントを形成する、上部電極と、d)各クロスポイントにおける該複数の上部電極と該複数の下部電極との間に配置されたアクティブ層であるペロブスカイト材料と、を含む、メモリ構造。
IPC (4件)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/15 112 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/15 112 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (5件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (8件)
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