特許

J-GLOBAL ID：200903030642616880

絶縁ゲート型トランジスタ及び固体撮像素子

発明者： 浜田 稔
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-153941
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023039
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】雑音が少なく、アナログ的な用途で使用することができる絶縁ゲート型トランジスタを提供することを目的とする。【構成】デプレッション型のMOSトランジスタ7a,8aには、浮遊ゲート27と制御ゲート28とからなる2重ゲート構造に形成されている。そのチャネルにはN型の不純物が打ち込まれてN型の反転層25が形成されている。浮遊ゲート27には、所定の量の電荷を蓄えられ、その蓄えられた電荷量に基づいて制御ゲート28に印加されるゲート電圧が補償されて正電圧でDpNMOSトランジスタ7a,8aはオン・オフ制御される。

請求項（抜粋）：

半導体基板(21)と、半導体基板(21)の一主面に互いに所定の距離を隔てて形成されるドレイン領域(23)及びソース領域(24)と、これらのドレイン領域(23)及びソース領域(24)の間で前記半導体基板(21)の表面領域に形成される反転層(25)と、この反転層(25)を被って上記半導体基板(21)上に配置される浮遊ゲート(27)と、この浮遊ゲート(27)上に配置される制御ゲート(28)と、を備え、上記浮遊ゲート(27)に蓄積される電荷の量に応じて動作点が変更されることを特徴とする絶縁ゲート型トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/148 ,  H01L 29/762 ,  H01L 21/339

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/14 B ,  H01L 29/76 301 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-118974
  
• EPROM
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-298026   出願人：三菱電機株式会社
• CCD固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-302577   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-214779