特許
J-GLOBAL ID：200903030646356050
フリップチップ実装型半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092129
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288970
出願日： 1998年04月06日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 フリップチップ型半導体の実装において、バンプに金やアルミニウムなどの材料を用いると、はんだほど柔軟な変形ができないため、実装時の圧力や温度のばらつきが即バンプのつぶれ量のばらつきにつながり、一部バンプのつぶれ量の不足による接合部の電気抵抗、熱抵抗の増大や最悪の場合はオープン不良を招く。あるいは、オープン不良を避けんがためにバンプをつぶしすぎショート不良を招くなどの問題があった。【解決手段】 半導体チップ上に形成されたバンプを介して該半導体チップと基板が接続されてなるフリップチップ実装型半導体装置であって、前記半導体チップ上に第1の金属層と前記第1の金属層より厚い第2の金属層を重ねることによって形成された第1のバンプ領域と、前記第2の金属層によって形成された第2のバンプ領域を具備し、前記第1のバンプ領域の半導体チップからの高さは前記第2のバンプ領域の高さより高いことを特徴とするフリップチップ実装型半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体チップ上に形成されたバンプを介して該半導体チップと基板が接続されてなるフリップチップ実装型半導体装置であって、前記半導体チップ上に第1の金属層と前記第1の金属層より厚い第2の金属層を重ねることによって形成された第1のバンプ領域と、前記第2の金属層によって形成された第2のバンプ領域を具備し、前記第1のバンプ領域の半導体チップからの高さは前記第2のバンプ領域の高さより高いことを特徴とするフリップチップ実装型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/60 311 S
