特許

J-GLOBAL ID：200903065892090130

突起電極の構造およびその形成方法

発明者： 児谷 昭一 ,  横山 茂 ,  山本 充彦
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-104800
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275108
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップの突起電極を回路基板上の接続パッドなどに加圧を伴ってボンディングする際に、半導体チップの突起電極下の絶縁膜や接続パッドに過大な圧力がかからないようにする。【解決手段】 突起電極は、内部突起電極19と、この内部突起電極19を等方的に覆った外部突起電極22とからなっている。この場合、外部突起電極22は、平面サイズが接続パッド12の平面サイズと同じ大きさの下側突起電極部22aと、平面サイズが絶縁膜13の開口部14の平面サイズよりも小さい大きさの上側突起電極部22bとからなっている。このように、外部突起電極22の上側突起電極部22bの平面サイズが小さいので、ボンディングに必要な圧力が小さくて済み、しかもこの圧力は平面サイズの大きい下側突起電極部22aおよび内部突起電極19によって分散されることになる。

請求項（抜粋）：

基板に形成された接続パッド上の所定の一部に形成された内部突起電極と、該内部突起電極を含む前記接続パッド上を覆うように形成された外部突起電極とからなり、該外部突起電極が前記内部突起電極の周囲に位置する下側突起電極部と、前記内部突起電極の上方に位置する上側突起電極部とから構成されていることを特徴とする突起電極の構造。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の突起電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-127790   出願人：シチズン時計株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-210382   出願人：富士通株式会社