特許
J-GLOBAL ID：200903030653017016
シリコンウェーハの結晶欠陥の検査方法、および同方法に使用する結晶欠陥検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-176716
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354599
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 正確で、且つ迅速なエピタキシリアルシリコンウェーハの結晶欠陥を検査する装置及び同装置を用いたエピタキシリアルシリコンウェーハの結晶欠陥検査方法の提供。【解決手段】 CCD撮像素子と微分干渉型顕微鏡とを備えた装置に於いてCCD撮像素子を高速でスキャンさせながら、シリコンウェーハの異常である輝点を検出させ、次いでこの輝点の座標位置を決定させて、より高倍率で輝点を形状情報として捉え、この情報に基づきゴミか欠陥かを判別する。
請求項（抜粋）：
微分干渉型顕微鏡と、該微分干渉型顕微鏡により捉えられた画像を撮影するためのCCD撮像素子と、被検査体であるシリコンウェーハを保持する手段と、該シリコンウェーハ上を同ウェーハのX及び/又はY軸方向に沿って該CCD撮像素子を用いて高速でスキャニングする手段と、該シリコンウェーハ表面上に輝点が認められるか否かを判断する手段と、認められた輝点の位置決めをする手段と、認められた輝点が結晶欠陥であるか否かを判断するための画像を該CCD撮像素子で撮影するための手段と、該CCD撮像素子により撮影された輝点が結晶欠陥であるか否かを判断する手段と、該CCD撮像素子による画像を写し出すモニター手段とから構成されるシリコンウェーハの結晶欠陥検査装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01B 11/30
, G01N 21/88
H01L 21/66 J
, G01B 11/30 D
, G01N 21/88 E
