特許
J-GLOBAL ID:200903030655268164
マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体及びその金属間化合物を含有する合金超伝導体並びにこれらの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
平山 一幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-001948
公開番号(公開出願番号):特開2002-211916
出願日: 2001年01月09日
公開日(公表日): 2002年07月31日
要約:
【要約】【課題】 超伝導転移温度が高い金属間化合物超伝導体、及び、超伝導転移温度が高く、かつ、展性及び延性に優れた合金超伝導体を提供する。また、再現性がよく、製造コストが低い、これらの超伝導体の製造方法を提供する。【解決手段】 マグネシウム(Mg)とホウ素(B)とからなる全く新規な金属間化合物超伝導体であり、化学組成式Mg1 B2 で表され、六方晶AlB2 型結晶構造を有し、超伝導転移温度(Tc)39Kを有する。この金属間化合物を含有する合金は、展性、延性に優れた、超伝導転移温度(Tc)39Kを有する合金超伝導体である。Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉末とを混合し、例えば加圧加熱成形して製造する。
請求項(抜粋):
マグネシウム(Mg)とホウ素(B)とからなる金属間化合物であることを特徴とする、金属間化合物超伝導体。
IPC (8件):
C01B 35/04 ZAA
, C04B 35/58 105
, C22C 1/00
, C22C 1/04
, C22C 23/00
, H01B 12/00 ZAA
, H01B 13/00 563
, H01B 13/00 565
FI (8件):
C01B 35/04 ZAA C
, C04B 35/58 105 A
, C22C 1/00 Q
, C22C 1/04 C
, C22C 23/00
, H01B 12/00 ZAA
, H01B 13/00 563 A
, H01B 13/00 565 Z
Fターム (18件):
4G001BA61
, 4G001BA68
, 4G001BB41
, 4G001BC22
, 4G001BC42
, 4G001BC52
, 4G001BC54
, 4G001BD22
, 4G001BE01
, 4K018AA13
, 4K018BC12
, 4K018CA01
, 4K018EA02
, 5G321AA12
, 5G321DC08
, 5G321DC33
, 5G321DC36
, 5G321DD99
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