特許

J-GLOBAL ID：200903030672833690

半導体PIN型光導波路及びその製造方法

発明者： 石坂 政茂
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-274125
公開番号（公開出願番号）：特開平8-136749
出願日： 1994年11月09日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 導波路の高帯域化を効果的に行うことができる構造の半導体PIN型光導波路を実現する。【構成】 n-InP基板101上のn-InPバッファ層102の上には断面が三角形状の2本のFeドープInP層108が形成されている。これらFeドープInP層108間にはn-InPクラッド層103と、i-InGaAsP吸収層104と、p-InPクラッド層105と、p-InGaAsキャップ層106とが順次積層され、逆テーパ状の導波層が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に互いに近接して形成されかつ断面形状が三角形状の第1及び第2の半導体クラッド層と、前記第1及び第2の半導体クラッド層間の前記半導体基板上に順次積層されて形成されかつ断面形状が上部に向かうにしたがって広くなる逆テーパ形状の光導波路とを有することを特徴とする半導体PIN型光導波路。

IPC (5件)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/015 505 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体光機能素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-280985   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-149529