特許
J-GLOBAL ID：200903030679609760
Si-O含有皮膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215744
公開番号（公開出願番号）：特開平7-165413
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：
【要約】【目的】 電子基板上に、誘電率が安定していること等の改善された性質を有するSi-O含有皮膜を形成する方法を提供する。【構成】 電子基板上に水素シルセスキオキサン樹脂を塗布し、水素ガスの存在下に、この水素シルセスキオキサン樹脂をSi-O含有セラミック皮膜に変換する。
請求項（抜粋）：
次のことを含む電子基板上にSi-O含有セラミック皮膜を形成する方法:水素シルセスキオキサン樹脂を含む塗料を電子基板上に塗布し;そして前記塗布された基板を熱分解雰囲気中、前記水素シルセスキオキサン樹脂皮膜をSi-O含有セラミック皮膜に変換するに充分な温度で加熱し、この際、前記水素シルセスキオキサン樹脂のSi-O含有セラミック皮膜への変換の間、熱分解雰囲気中に水素ガスを導入する。
IPC (4件)：
C01B 33/12
, C04B 41/84
, H01L 21/312
, H01L 21/316
