弾性表面波デバイスとその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-085826
公開番号（公開出願番号）：特開2000-278067
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】現像液によりIDT電極が悪影響を受けない弾性表面波デバイスとその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】表面にアルミニウム膜を形成した圧電基板1のアルミニウム膜の表面を第1の酸化アルミニウム膜3を形成し、フォトリソ法によりIDT電極4及び接続電極5を形成して弾性表面波素子を得、IDT電極4及び接続電極5を覆うように圧電基板1の上面全体にレジスト膜を形成し、接続電極5の表面のレジスト膜を残すようなパッケージで露光し、現像液にてIDT電極4の表面のレジスト膜を除去し、陽極酸化により、IDT電極4の表面をさらに酸化させて第2の酸化アルミニウム膜7を形成後、接続電極5の上面のレジスト膜を除去しパッケージ9内に弾性表面波素子を収納し、接続電極5と外部引出端子8とをワイヤ11により電気的に接続し、パッケージ9の開口部をリッド13で封止する。

請求項（抜粋）：

圧電基板の表面にアルミニウムを主成分とする金属膜を形成する第1の工程と、次に前記金属膜の表面を酸化して第1の酸化膜を形成する第2の工程と、次いで前記金属膜及び前記酸化膜を所望の形状のIDT電極及びこのIDT電極に接続された接続電極に加工して弾性表面波素子を得る第3の工程と、次に前記接続電極の表面を保護膜で被覆する第4の工程と、次いで陽極酸化により前記IDT電極の表面に第2の酸化膜を形成する第5の工程と、その後前記保護膜を除去する第6の工程と、次に前記弾性表面波素子を外部引出端子を有するパッケージ内に収納し前記接続電極とこの外部引出端子とをワイヤで接続する第7の工程とを備えた弾性表面波デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H03H 3/08 , G03F 7/42 , H03H 9/145

FI (3件)：

H03H 3/08 , G03F 7/42 , H03H 9/145 C

Fターム (14件)：

2H096AA27 , 2H096CA05 , 2H096CA20 , 2H096LA03 , 2H096LA07 , 5J097AA28 , 5J097AA31 , 5J097DD01 , 5J097DD28 , 5J097DD29 , 5J097HA02 , 5J097HA07 , 5J097KK09 , 5J097KK10

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭61-092012
陽極酸化方法及びこれを用いた薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-262180 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (2件)

特開昭61-092012
特開昭61-092012

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