特許
J-GLOBAL ID：200903030725447550

パターン形成方法

発明者：
岸村 眞治

岸村 眞治 について

, 
勝山 亜希子

勝山 亜希子 について

, 
笹子 勝

笹子 勝 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-135369
公開番号（公開出願番号）：特開2001-066780
出願日： 2000年05月09日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 140nm帯〜160nm帯の波長を持つ露光光を用いて良好な形状を持つレジストパターンが得られるようにする。【解決手段】【化1】半導体基板10の上に、[化1]に示すベース樹脂を含むレジスト膜11を形成した後、該レジスト膜11に対してF2 エキシマレーザ13を用いてパターン露光を行なう。レジスト膜11に対してアルカリ性の現像液を用いて現像処理を行なって、レジスト膜11の未露光部11bからなるレジストパターン14を形成する。
請求項（抜粋）：
膜厚が200nmであるときに140nm帯〜160nm帯の波長を持つ光に対する透過率が40%以上であるベース樹脂を有するレジスト材料からなるレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に140nm帯〜160nm帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (7件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 12/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 12/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/30 515 B
Fターム (39件)：
2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  2H097BA06 ,  2H097CA13 ,  2H097FA06 ,  2H097JA03 ,  2H097LA10 ,  4J002BC03X ,  4J002BC12W ,  4J002EV296 ,  4J002GP03 ,  4J002GQ05 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA22P ,  4J100BC53P ,  4J100CA04 ,  4J100DA62 ,  4J100JA46 ,  5F046CA04 ,  5F046CA07 ,  5F046JA21 ,  5F046JA22 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14
引用特許：
審査官引用 (15件)
  • 特開平2-062544
  • 特開平2-161436
  • 特開平4-211258
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