特許
J-GLOBAL ID:200903089190665441

ポジ型レジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 服部 平八
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-305113
公開番号(公開出願番号):特開平9-127698
出願日: 1995年10月30日
公開日(公表日): 1997年05月16日
要約:
【要約】【課題】本発明は、高感度であり、クオーターミクロン以下の高解像性を有し、かつ耐熱性、焦点深度幅特性、引置き経時安定性に優れ、基板依存性がなくプロファイル形状の優れたレジストパターンを形成できるレジスト組成物を提供すること。【構成】(A)酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)有機カルボン酸化合物を含むポジ型レジスト組成物において、(A)成分が(a)水酸基の10〜60モル%が一般式化1【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2はメチル基又はエチル基であり、R3は炭素数1〜4の低級アルキル基である。)で表わされる残基で置換された重量平均分子量8,000〜25,000、分子量分布(Mw/Mn)1.5以下のポリヒドロキシスチレンと(b)水酸基の10〜60モル%がtert-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された重量平均分子量8,000〜25,000、分子量分布(Mw/Mn)1.5以下のポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)有機カルボン酸化合物を含有するポジ型レジスト組成物において、(A)成分が(a)水酸基の10〜60モル%が一般式化1【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2はメチル基又はエチル基であり、R3は炭素数1〜4の低級アルキル基である。)で表わされる残基で置換された重量平均分子量8,000〜25,000、分子量分布(Mw/Mn)1.5以下のポリヒドロキシスチレンと(b)水酸基の10〜60モル%がtert-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された重量平均分子量8,000〜25,000、分子量分布(Mw/Mn)1.5以下のポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
審査官引用 (5件)
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