半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256735
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091767
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】ゲート基板の交換を容易にし、並列接続された各半導体素子チップごとのゲート信号の伝達時間を均等にし、該チップから発生する熱によるゲート基板の温度上昇を小さくし、素子内部の主回路配線に起因するサージ電圧を小さくした半導体素子を得る。【解決手段】スイッチング素子と前記スイッチング素子を駆動するゲート基板を絶縁形外囲器に収納した半導体索子であって、前記外囲器に気密封止する外囲器本体と気密封止しない基板収納部分を設け、前記スイッチング素子を絶縁板を介して金属板に搭載した後、前記外囲器本体内に収納し、前記ゲート基板を前記基板収納部分へ収納した半導体素子。

請求項（抜粋）：

スイッチング素子と前記スイッチング素子を駆動するゲート基板を絶縁形外囲器に収納した半導体索子であって、前記外囲器に気密封止する外囲器本体と気密封止しない基板収納部分を設け、前記スイッチング素子を絶縁板を介して金属板に搭載した後、前記外囲器本体内に収納し、前記ゲート基板を前記基板収納部分へ収納したことを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H05K 7/14 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3件)：

H05K 7/14 A , H05K 7/14 C , H01L 25/04 C

Fターム (3件)：

5E348AA03 , 5E348AA08 , 5E348AA40

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭60-213096
電子装置の冷却構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-207763 出願人：富士通株式会社
電子装置及びその製造方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-002377 出願人：三菱電機株式会社

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