特許
J-GLOBAL ID：200903030731375650

有機薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
岡田 真和

岡田 真和 について

, 
宮井 三嘉

宮井 三嘉 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-241279
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066439
出願日： 2006年09月06日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】十分なキャリア移動度を有しばらつきが少なくて製造が容易な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】第1の基板に加熱で有機半導体層に対する接着力が第1の基板に対するより小さくなる光熱変換層と加熱で溶融または昇華して結晶化する性質を有するアモルファス状態の有機半導体を含む層がある第1部材、及び、第2の基板に少なくともソース電極とドレイン電極があり、ソース電極とドレイン電極を連結する有機半導体層が形成される面と溶融または昇華し結晶化して形成される有機半導体層の接着力が有機半導体層と光熱変換層の接着力より大きくなる性質を有する第2部材を準備する工程と、第1部材と第2部材を重ね合わせる工程と、有機半導体が溶融または昇華するまで加熱されるように光熱変換層に光を照射する工程と、第1部材と第2部材を分離する工程と、をこの順で行う。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板の上に、少なくともソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する有機半導体層、ゲート電極及び前記有機半導体層と前記ゲート電極との間に絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、 第1の基板の上に加熱されることで前記有機半導体層に対する接着力が該第1の基板に対する接着力より小さくなる光熱変換層と加熱されることにより溶融または昇華して結晶化する性質を有するアモルファス状態の有機半導体を含む層とをこの順で有する第1部材、及び、第2の基板の最上層として少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極が設けられ、該ソース電極と該ドレイン電極とを連結する前記有機半導体層が形成される面と溶融または昇華して結晶化して形成される前記有機半導体層との接着力が該有機半導体層と加熱される前記光熱変換層との接着力より大きくなる性質を有する第2部材を準備する工程と、 前記第1部材の前記有機半導体を含む層と前記第2部材の前記ソース電極と前記ドレイン電極が対向する向きで、前記第1部材と前記第2部材を重ね合わせる工程と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する前記有機半導体層を形成すべく、前記有機半導体が溶融または昇華するまで加熱されるように前記第1の基板の側から前記光熱変換層に光を照射する工程と、 前記第1部材と前記第2部材を分離する工程と、をこの順で行うことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/336
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250G ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310L ,  H01L29/28 310K ,  H01L29/78 618A
Fターム (25件)：
5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72
引用特許：
出願人引用 (2件)

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