特許

J-GLOBAL ID：200903030736206333

研磨方法及びその装置

発明者： 小西 信夫 ,  岩下 光秋
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン九州株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-155402
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330260
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハの製造工程で例えば層間絶縁膜を削るエッチバック工程を研磨により行う場合に、研磨の終点を容易にかつ高い精度で検出すること。【構成】 表面全体に層間絶縁膜が形成されたウエハ10を保持部3に、またガラスディスク4を保持部41に夫々保持し、モータ31によりウエハ10及びガラスディスク4を同期して回転させながら研磨布23に押圧し、研磨液を供給しながら研磨を行う。このとき、光ファイバ5Aよりの光をガラスディスク4に照射してその下面における反射光を光ファイバ5Bで受光し、この反射光の位相差に基づいてガラスディスク4の厚さ、つまり研磨量を把握し、この研磨量に基づいてウエハ10の研磨量を把握する。

請求項（抜粋）：

研磨体の表面に研磨液を供給して被研磨体を研磨する方法において、処理対象である被研磨体と参照用被研磨板とを連動させて共通の研磨体により同時に研磨しながら、前記参照用被研磨板の研磨量を監視し、その研磨量に基づいて、処理対象である被研磨体の研磨量を求めることを特徴とする研磨方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 49/06 ,  B24B 49/12

FI (4件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 E ,  B24B 49/06 ,  B24B 49/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-178526
  
• 特開昭62-074569
  
• 基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-164734   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• ウェハ研摩装置および研摩終点判定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-248408   出願人：株式会社日立製作所