磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ni-Pめっき層の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335229
公開番号（公開出願番号）：特開2000-163743
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】非磁性基板としてのガラス基板上に、良好な磁気ディスクを得るに十分な密着性,均一性を有し、テクスチャー加工前のポリッシング加工を省くことが可能なほどの十分な平滑性を有するNi-P層を形成することができる無電解Ni-Pめっき方法を提供する。【解決手段】ガラス基板表面に、脱脂処理,エッチング処理,温純水処理,シランカップリング処理,アクチベーター処理,アクサレーター処理を順次施した後、無電解Ni-Pめっきを行い、続いて、加熱処理を施してNi-P層を形成する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板表面に脱脂処理,エッチング処理,温純水処理,シランカップリング剤処理,アクチベーター処理,アクサレーター処理を順次施した後、無電解Ni-Pめっきを行い、続いて、加熱処理を施すことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ni-Pめっき層の形成方法。

IPC (4件)：

G11B 5/84 , C23C 18/18 , C23C 18/31 , C23C 18/32

FI (4件)：

G11B 5/84 Z , C23C 18/18 , C23C 18/31 A , C23C 18/32

Fターム (23件)：

4K022AA03 , 4K022AA44 , 4K022BA14 , 4K022BA16 , 4K022CA03 , 4K022CA05 , 4K022CA06 , 4K022CA07 , 4K022CA15 , 4K022CA21 , 4K022CA23 , 4K022DA01 , 4K022DB02 , 4K022EA01 , 5D112AA02 , 5D112AA24 , 5D112BA03 , 5D112BA09 , 5D112EE01 , 5D112GA08 , 5D112GA27 , 5D112GA28 , 5D112GB01

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-291018
磁気ディスク用ガラス基板の無電解Ni-Pめっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-122918 出願人：富士電機株式会社
特開平1-208729

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