特許
J-GLOBAL ID：200903030753730933

固体撮像素子

発明者：
石川 通弘

石川 通弘 について


出願人/特許権者：
岩手東芝エレクトロニクス株式会社

岩手東芝エレクトロニクス株式会社 について

, 
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-065093
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257338
出願日： 2000年03月09日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 隣接する光電変換部間のブルーミングを抑制しながら光電変換部に蓄積された電荷を半導体基板へ掃き出すための逆バイアス電圧の上昇を解決する固体撮像素子を提供する。【解決手段】 n型半導体基板24とその表面からの深さ方向中間部に設けられたp型ウェル27と、n型半導体基板24の上部にマトリクス状に配列され入射光に応じた蓄積電荷を発生するフォトダイオード22と、このフォトダイオード22間に形成された素子分離領域23とを備えた固体撮像素子において、素子分離領域23に、p型の第1の素子分離不純物拡散層30と、その直下に離間してp型の第2の素子分離不純物拡散層31が設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の上部に所定配列となるように設けられ入射光に応じた蓄積電荷を発生する光電変換部と、この光電変換部を分離する素子分離領域と、前記光電変換部で発生した過剰電荷をその外部へ排出する第1の不純物拡散層とを備えた固体撮像素子において、前記素子分離領域が、第2の不純物拡散層と前記第2の不純物拡散層の下に第3の不純物拡散層を備えていることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/148 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B
Fターム (19件)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA31 ,  4M118DA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  5C024BX00 ,  5C024CX12 ,  5C024CX54 ,  5C024GX03 ,  5C024GZ03
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-090175   出願人：ソニー株式会社
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-341650   出願人：日本電気株式会社
  • 固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-097719   出願人：ソニー株式会社

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